STI效应，全称为Shallow Trench Isolation（浅槽隔离）效应，是在半导体制造过程中产生的一种物理效应。STI是一种用于形成器件之间隔离的工艺技术，通过在硅片上制造浅槽并填充绝缘材料（通常是二氧化硅）来实现。STI技术在深亚微米工艺中被广泛采用，尤其是在0.25微米以下的工艺中。
STI效应的影响主要体现在以下几个方面：
1. 应力影响：STI在制造过程中会在硅片上产生应力，这种应力随着硅片冷却而形成，且STI越宽，产生的应力越大。
2. 阈值电压变化：STI效应会影响MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vth）。由于STI产生的应力，靠近STI的器件可能会表现出不同的阈值电压，这会影响器件的开启和关闭特性。
3. 电流特性改变：STI效应还影响MOSFET的电流特性，包括饱和电流（Idsat）等。由于应力导致的迁移率变化，PMOS和NMOS管的电流表现可能会有所不同，PMOS电流可能会上升，而NMOS电流可能会下降。
4. 版图效应：STI效应与版图设计密切相关，器件的性能会因为其相对于STI的位置而有所变化。在设计集成电路时，需要考虑STI效应对版图的影响，以确保器件的性能一致性。
5. 设计策略：为了减少STI效应的影响，设计时可以采取一些策略，如在最外侧的管子上添加额外的器件以增加与STI的距离，或者通过仿真和版图优化来调整器件的布局。
6. 工艺步骤：STI的工艺步骤包括氮化硅掩膜的沉积和图形化、硅片的刻蚀形成槽、以及氧化物的填充和平坦化等。
STI效应是现代半导体制造中一个重要的考量因素，对集成电路的性能有着直接的影响。设计者必须在设计过程中预估和调试STI效应，以确保电路的可靠性和性能。
