漏致势垒降低效应（Drain Induced Barrier Lowering，简称DIBL）是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的一种重要物理现象，尤其在短沟道器件中更为显著。这一效应主要表现在漏极电压的增加导致源极与衬底之间的自建势垒高度降低，从而使得从源区注入沟道的电子数量增加，进而导致漏源电流增大。
DIBL效应的产生与以下因素有关：
1. 沟道长度：沟道长度越短，DIBL效应越严重，因为短沟道器件的源和漏极的耗尽区宽度接近器件的沟道长度，使得漏极电压的升高对源极与衬底之间的势垒高度影响更大。
2. 栅氧化层厚度：栅氧化层厚度越大，DIBL效应越严重，这是因为较大的栅氧化层厚度会减弱栅极的控制能力。
3. 源漏结深：源漏结深越大，DIBL效应越严重，因为它增加了漏极耗尽区与栅极的距离，减弱了栅控能力。
4. 沟道掺杂浓度：沟道掺杂浓度越高，DIBL效应越严重，这是因为高掺杂浓度会减小漏极耗尽区的宽度，使得源漏穿通更容易发生。
5. 体偏压：体偏压越大，DIBL效应越小，因为较大的体偏压有助于提高衬底势垒高度，从而抑制DIBL效应。
DIBL效应对MOSFET器件特性的影响主要体现在：
- 阈值电压随漏源电压的增加而降低，导致有效阈值电压下降。
- 亚阈值电流随漏源电压的增加而增大，尤其是在短沟道MOSFET中更为明显。
- 饱和漏源电压及饱和漏电流都小于长沟道理论预示值，且饱和区跨导近似等于常数。
DIBL效应是超大规模集成电路设计中需要重点考虑的问题，因为它直接影响到器件的性能和可靠性。为了改善DIBL效应，可以采取以下措施：
- 降低栅氧化层厚度，提高栅控能力。
- 降低源漏区结深，减小漏极耗尽区与栅极的距离。
- 提高沟道掺杂浓度，降低漏极耗尽区的宽度。
综上所述，漏致势垒降低效应是影响短沟道MOSFET性能的关键因素之一，对其理解和控制对于提升集成电路的性能至关重要。
