【半导体先进工艺制程技术系列】漏致势垒降低效应-CSDN博客
2022年8月12日 漏致势垒降低效应 发生穿通效应的原因是漏极电压的升高导致源极与衬底之间的自建势垒高度降低了,称为漏致势垒降低效应(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)。 对于长沟道器件,上...CSDN博客
2024年04月01日
漏致势垒降低效应
“漏致势垒降低效应”的相关信息：
漏感应势垒降低(DIBL)效应-技术资料-51电子网
2016年6月30日 漏感应势垒降低(DIBL)效应 当￡减小、‰s增加时,漏源耗尽区越来越接近,引起电场从漏到源的穿越,使源端势垒降低,从源区注入沟道的电子增加,导致漏源电流增加。...51电子网
2024年04月01日
漏致势垒降低效应的原理 - 百度文库
2页 发布时间: 2023年06月24日漏致势垒降低效应在电子器件中具有重要的意义。通过降低漏致势垒,可以提高电子器件的效率,减少能量损失,从而节约能源,降低成本。因此,研究漏致势垒降低效应,开发新型材料和技...百度文库
2024年04月01日
全网独家!半导体“新风向”!第三届碳基半导体材料与器件产...
2023年5月13日 这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热电子效应。这些效应会导致电路失效,严重影响芯片性能...搜狐网
2024年04月01日
8.1.8 漏致势垒降低效应(DIBL) - 豆丁网
2020年2月7日 1111八、小尺寸MOS器件的特性8.1.8漏致势垒降低效应(DIBL)ybsun@ee.ecnu.edu华东师范大学信息科学技术学院电子工程系当MOSFET的沟道长度L时,分立器件:集成电路:...豆丁网
2024年04月01日
漏至势垒降低效应是啥 - 百度知道
最佳答案: 漏致势垒降低(DIBL)效应是超大规模MOSFET器件中重要的物理效应,体现在漏端电压VD引起阈值电压的降低，从而成为电路设计中一个重要的物理限制；并且在一定程度上影...百度知道
2024年04月01日
