源漏穿通效应（Channel punchthrough effect）是场效应晶体管（如MOSFET）在小尺寸化过程中可能遇到的一种现象。具体来说，当晶体管的尺寸缩小到一定程度时，源结（Source Junction）与漏结（Drain Junction）之间的耗尽区（Depletion region）可能会相连通，形成一条直接的电流通路。这种效应会限制晶体管尺寸的进一步缩小，因为其对器件性能有显著影响。
源漏穿通效应的影响主要表现在以下几个方面：
1. 势垒降低：当沟道穿通时，源-漏间的势垒显著降低，导致从源向沟道注入大量载流子，这些载流子会漂移通过源-漏间的空间电荷区，形成较大的电流。
2. 电流增加：穿通效应使得即使栅电压低于阈值电压，源-漏间也会有电流通过，这导致通过器的总电流大大增加。
3. 空间电荷限制电流：这种电流受到空间电荷的限制，被称为空间电荷限制电流，它与源漏电压的平方成正比，与沟道长度的立方成反比。
4. 器件失效：在极端情况下，如果沟道长度过短，源漏穿通可能导致器件失效，因为耗尽区的宽度会随着PN结反偏电压的增大而扩展，最终导致源漏穿通。
为了抑制源漏穿通效应，集成电路的设计者采取了多种措施，包括使用新型绝缘介质材料（高k材料）、增加栅的数量（如双栅、三栅结构）、采用超薄体SOI材料以及发展纳米线结构等。
源漏穿通效应与漏致势垒降低（DIBL）效应不同，后者主要是指当漏极加上高电压时，源极同时受到漏极电场的影响，导致源结势垒降低，而源漏穿通则是源结与漏结的耗尽区直接相连通。
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