浅谈IGBT的闩锁效应 - 模拟技术 - 电子发烧友网
2023年4月6日 闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到...电子发烧友
2024年04月01日
什么是擎住效应
“什么是擎住效应”的相关信息：
什么是IGBT的擎住效应?如何避免?_百度教育
IGBT内部存在一个体区电阻Rbr,若IGBT的集电极电流IC大到一定程度, Rbr上的电压足以使晶体管开通,经过连锁反应,可使寄生晶闸管导通,从而IGBT栅极对器件失去控制,这就是所谓的...百度教育
2024年04月01日
igbt模块的擎住效应 - igbt模块的擎住效应
2022年3月24日 igbt模块的擎住效应,igbt模块内部的寄生三极管T2与输出三极管T1等效于1个晶闸管模块。内部体区电阻Rbr上的电压降为1个正方向偏压加在寄生三极管T2的基极和发射极间。传承电子科技(江苏)有限公司
2024年04月01日
擎住效应概念 - 百度爱伴功
百度爱伴功提供各种日常工作模板和学习资料,主要内容包含:图示解释“药物剂量与效应关系”中的几个概念、门限效应的概念和解决方案归纳、第五章 金属-氧化物-半导体场效应晶...爱伴功
2024年04月01日
擎住效应-技术资料-51电子网
2013年5月28日 集电极通电流的连续值超过临界值/CM时产生的擎住效应称为静态擎住效应。值得指出的是,IGBT在关断的动态过程中会产生所谓关断擎住或称动态擎住效应,这种现象在负载为感性时更容易发...51电子网
2024年04月01日
何为擎住效应?危害是什么?如何避免?_百度教育
由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管,当漏极电流大于规定的临界值时,该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通,使PNP管也饱和导通,结果IGBT的栅极失去控制作用,这就...百度教育
2024年04月01日
擎住效应_EEPW百科
2009年5月31日 这种电流失控的现象,就像普通晶闸管被处罚以后,即使撤销触发信号晶闸管仍然因进入正反馈过程而维持导通的机理一样,因此被称为擎住效应或自锁效应。 除过大的ic...EEPW百科
2024年04月01日
