直接带隙和间接带隙的跃迁原理

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2022年9月3日直接带隙:导带顶和价带顶在K空间中的同一位置,电子要跃迁到导带上只需要吸收(光子)能量。间接带隙:导带顶和价带顶在K空间中的不同位置,依据能量守恒定律,电子要跃迁到导带上不...CSDN博客

2024年06月01日

14页发布时间: 2023年07月24日二.跃迁的K选择定则以上两种跃迁均满足：①能量守恒EiEfhv0②动量守恒(kikfkp)0 三.直接带隙跃迁光子的波数很小kp0kikf直接带隙跃迁（竖直跃迁）参与者：光子、...百度文库

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2020年9月1日第二节直接带隙与间接带隙跃迁,一.竖直跃迁与非竖直跃迁竖直跃迁:电子跃迁的初态终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs, 族族化合物。非竖直跃迁:电子跃迁的初...人人文库

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2022年8月29日第二节直接带隙与间接带隙跃迁 1 一.竖直跃迁与非竖直跃迁竖直跃迁:电子跃迁的初态、终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs, -族、-族化合物。非竖直跃迁:电子跃迁的初态、态终不对...人人文库

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2023年8月30日直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置,价带电子跃迁到导带不需要声子的参与,只需要吸收能量。而间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k...知乎

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2023年11月2日 3、直接带隙半导体和间接带隙半导体分别有什么特点? 直接带隙半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的。当价带电子往导带跃迁时,电子波矢不变,在能带图上即是竖直地跃迁,这就...知乎

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2023年8月29日直接带隙指的是电子在同一晶体中从价带直接跃迁到导带,而间接带隙则要通过与其他粒子(如声子)的相互作用来完成跃迁。直接带隙材料通常在吸收光子后会立即产生自由载流子,因此具有较...中教金源官网

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2017年3月5日《半导体光电子学课件》2.2直接带隙与间接带隙跃迁下载积分:1000 内容提示: 第二节直接带隙与间接带隙跃迁文档格式:PPT | 页数:14 | 浏览次数:180 | 上传日...道客巴巴

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2022年5月13日 c.直接带隙和间接带隙。回到题目本身。对于间接带隙，价带顶和导带底的波矢k不同，如果考虑电子激发到...知乎

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