半导体器件——GIDL篇 - 知乎
2021年9月25日 Impact in NAND:在program时,被inhibit string 发生HCI效应, 边缘WL Vt上浮 (不被inhibit的string, 不存在静电压差,这种效应应该较弱) Mitigation in MOS: 设置边缘dummy WL Applic...知乎
2024年09月24日
GIDL效应
“GIDL效应”的相关信息：
mos管的gidl效应,MOSFET泄漏电流详解-KIA MOS管
2024年1月23日 MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下,绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应,从而形成漏电流。GIDL效应会导致器件...广东可易亚半导体官网
2024年09月24日
环栅场效应晶体管GIDL效应和栅极电流的研究-手机知网
环栅场效应晶体管GIDL效应和栅极电流的研究,环栅,栅致漏极泄漏(GIDL),栅极电流,静态功耗,摩尔定律的推动使传统MOS器件的短沟道效应到达物理极限,纳米线环栅场效应晶体管(GAAF...手机知网
2024年09月24日
MOS管 GIDL效应 - Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP 创芯网...
2012年8月8日 衬底的电子会向沟道运动，事实上是势垒降低了，电子更容易到达沟道了。这就是DIBL效应。它会导致阈值...EETOP
2024年09月24日
MOS器件理论之DIBL, GIDL
2020年2月20日 2) GIDL (Gate-Induced-Drain-Leakage):栅感应漏极漏电流。我们通常讲MOSFET漏电流(Ioff),都知道是漏源之间亚阈值漏电流,或者Drain到Well的PN结漏电流,或者栅...个人图书馆
2024年09月24日
