闩锁效应 - 百度文库
3页 发布时间: 2017年01月09日闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电...百度文库
2024年09月26日
什么是闩锁效应
“什么是闩锁效应”的相关信息：
芯片检测技术|国创中心闩锁检测技术在家电中的应用及案例...
2024年4月2日 闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件,这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。因此,了解闩锁检测在家电中的应用至关...国家高端智能化家用电器创新中心
2024年09月26日
闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析-电子发烧友网
2023年12月1日 一、闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子...电子发烧友
2024年09月26日
闩锁效应的概念 - 百度文库
2页 发布时间: 2024年02月15日闩锁效应的概念 闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中的一种寄生效应,它可能导致电路失效甚至烧毁芯片。 闩锁效应的基本原理是在CMOS电路中,由于NMOS的有源区、P衬底、N阱、PM...百度文库
2024年09月26日
闩锁效应(latch-up) - 知乎
2022年8月19日 Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生...知乎
2024年09月26日
什么是闩锁效应-电子发烧友网
2015年6月5日 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其...电子发烧友
2024年09月26日
一文搞懂闩锁效应(Latch up)
2024年7月31日 PNP2三极管导通(如情况1分析),此情况下,由于Vout端电位过高,导致nmos管漏极与P-sub衬底PN结击穿,形成热载流子效应。使得耗尽区碰撞电离产生的一大部分空穴流入P-sub衬底,形成空穴电...个人图书馆
2024年09月26日
闩锁效应 - 与非网
2024年1月15日 闩锁效应是指在某些系统中,由于特定条件的存在,使得系统进入一种“锁住”的状态,无法继续正常运行或产生所期望的结果。这种效应可能会导致系统停滞、失灵或陷...与非网
2024年09月26日
