减小基区宽度对BVebo的影响

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【PDF】文件格式：根据延迟时间的定义,在延迟时间内,发射结偏压将由-VBB 上升到微导通电压 VJO(约 0.5V),集电结反向偏压由(VCC+VBB)减小到(VCC-VJO),这个过程是基极电流 IB1 对发射结和集电结...西安邮电大学电子工程学院

2024年09月24日

2021年3月3日其中雪崩击穿的PN结是由单边浓度较淡或双边浓度都较淡的P型半导体和N型半导体构成,空间电荷区较宽,击穿由雪崩倍增引起,其I-V曲线击穿点较直,在击穿前的反向漏电...专利查询网

2024年09月24日

2020年11月18日基区宽度的减小使B W 基区少子浓度梯度增加,必然导致电流放大系数和集电极电流的增大。这就是基区宽度调变效应(也称为厄尔利效应)。为减小厄尔利效应,应增大...百度教育

2024年09月24日

最佳答案: 基区展宽效应在BJT中产生了显著的影响，首要的后果是基区空间体积的扩大，这直接导致存储的少子电荷数量显著增多，从而引发了开关速度的降低，使得器件的动态响应...百度知道

2024年09月24日

2022年4月2日 BVEBO 4. 基区穿通耗尽层影响BV 大小的因素:器件结构;制备方法;工艺质量所谓基区穿通,随着集电结反向 EBO 偏压的增加,在集电结发生雪崩击穿 (a ) 例如:用干...原创力文档

2024年09月24日

7页发布时间: 2022年04月10日BVEBO 、 Vpt 、 VA 、 rbb 等产生什么影响? 15、减薄基区宽度会对晶体管的上述各种特性产生什么影响? 16、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图,并在图中标出...百度文库

2024年09月24日

2021年10月26日为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。2、晶体管中的少子在渡越()的过程中会发生( ),从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子( )...人人文库

2024年09月24日

2020年3月26日 30、在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当( 减小)基区宽度, (降低)基区掺杂浓度。 31、某长方形薄层材料的方块电阻为 100Ω ,长度和宽度分别...豆丁网

2024年09月24日

2007年7月16日从而使电流放大系数减小,因此应选择基区宽度Wb=3μm。由于集电结结深xjc=Wb+xje=8μm,因此,一般来说,发射结xje应等于基区宽度的1.0～2.5倍。综合以上考虑,可确定基区宽度Wb为3μm,...电子工程世界

2024年09月24日