闩锁效应(Latch-up)——好文当转-CSDN博客
2024年1月31日 Latch-up抑制方法 (i) 保持低于芯片的绝对最大额定值。 (ii)使用氧化物隔离槽(oxide trench)和掩埋氧化物(buried oxide)层隔离NMOS和PMOS器件: 图5 Oxide trench and buried oxidel...CSDN博客
2024年09月24日
消除latchup效应的方法
“消除latchup效应的方法”的相关信息：
latch up闩锁效应及解决方法 - 百度文库
2页 发布时间: 2023年08月15日为了避免Latch Up效应对器件造成的影响,可以采取以下解决方法: 4.1 增加阻抗 通过增加器件内部的阻抗,可以限制电流的流动,从而减轻Latch Up效应的影响。例如,在CMOS器件中,可...百度文库
2024年09月24日
...IC后端版图【VLSI】_latch up闩锁效应及解决方法-CSDN...
2022年11月2日 一、latch-up、Tap 1. CMOS基础认知:N-Well和P-Substrate在CMOS里的位置 2. latch-up issue Latch-up 三种解决方案Prevention 3. 添加tap cells解决latch-up问题 3. TAP的基础概念 ...CSDN博客
2024年09月24日
避免电路中的闩锁(Latch Up)效应:这是3个超实用的方法
2019年4月23日 闩锁效应 (LatchUp) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件(电流注入或过电压)引起,但一旦触发,即使触发条件不再存在,低阻抗路径仍然存在。这种低...雪球
2024年09月24日
一篇介绍latchup发生原因和解决方法的好文章 - 豆丁网
2011年11月13日 闩锁的触发方式闩锁的触发方式闩锁的触发方式闩锁的触发方式::: (1)输入或输出节点的上冲或下冲的触发,使第一个双极型晶体管导通,然 后再使第二个双极型晶体...豆丁网
2024年09月24日
消除“Latch-up”效应的方法?_百度教育
为减小寄生PNP管的寄生电阻Rs,可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底,抑制自锁效应。工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数; 具体应用时:使用时尽量...百度教育
2024年09月24日
消除“Latch-up”效应的方法?_考试资料网
2019年7月30日 问答题消除“Latch-up”效应的方法? 参考答案:版图设计时:为减小寄生电阻Rs和Rw,版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目,加粗电源线和地线,对接触...考试资料网
2024年09月24日
闩锁效应(Latch-up)详解 - 知乎
2020年4月5日 Latch-up抑制方法 (i) 保持低于芯片的绝对最大额定值。 (ii)使用氧化物隔离槽(oxide trench)和掩埋氧化物(buried oxide)层隔离NMOS和PMOS器件: 图5 Oxide trench and buried oxide l...知乎
2024年09月24日
