隧穿效应和隧道效应
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半导体器件击穿机理分析及设计注意事项-电子发烧友网

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2023年11月23日 由于隧穿效应的导电离子是来自于挣脱原子核束缚的电子(或者空穴),因此,随着温度的升高,PN结内部产生热电子浓度增加,进而导致击穿电压VB降低,使得宏观上击穿电压VB呈现负温度特性。...电子发烧友
2024年09月26日
量子隧穿效应

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2023年12月19日 在某些酶参与的反应中,要么是质子要么是电子,发生了隧穿效应。 Ⅲ开关电路、高频振荡电路(江崎二极管)中的隧道工作原理,就是量子隧穿效应。 摩尔定律终有极限,当集成电路的元器件...个人图书馆
2024年09月26日
揭秘隧道效应:穿越微观世界的神秘之门

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2024年6月18日 一、隧道效应的基本概念与原理 隧道效应，又称量子隧穿效应，是量子力学中的一个重要概念。它指的是粒子在面临能量高于其自身能量的障碍时，仍然能够以一定的概率穿越障碍的现象。...诗恩小科学
2024年09月26日
微观粒子的穿墙术——量子隧穿效应

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2019年7月30日 量子隧穿现象的应用范围可以说十分广泛,比如说半导体领域,快闪存储器的运作原理牵涉到量子隧穿理论。超大型集成电路(VLSI integrated circuit) 的一个严峻的问...个人图书馆
2024年09月26日

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