详解TMR隧道磁电阻效应-电子发烧友网
2023年11月3日 TMR效应 铁磁薄片的磁化方向可以在外磁场的控制下被独立的切换。如果极化方向平行,那么电子隧穿过绝缘层的可能性会更大,其宏观表现为电阻小;如果极化方向反平行,那么电子隧穿过绝缘...电子发烧友
2024年09月25日
隧穿磁阻效应
“隧穿磁阻效应”的相关信息：
隧穿磁阻:高灵敏度的磁电阻效应-百度爱采购
2024年4月3日 隧穿磁阻效应在磁存储,磁传感器,自旋电子学等领域具有广泛的应用前景.在磁存储领域,隧穿磁阻效应被用于磁性随机存储器(mram)中,可以实现高速,低功耗的数据存储...百度爱采购
2024年09月25日
什么是隧穿磁阻效应 - 百度知道
最佳答案: 隧穿磁阻效应（或者穿隧磁阻效应）（TMR: Tunneling Magnetoresistance）：是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1奈米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变...百度知道
2024年09月25日
隧穿磁阻效应的原理 - 百度文库
2页 发布时间: 2023年10月06日隧穿磁阻效应是指当电流通过两个磁性层之间的绝缘层时,由于自旋极化,电子的隧道自旋极化会导致电阻的变化。这种自旋极化的隧穿效应被称为隧穿磁阻效应。在隧穿磁阻效应中,两...百度文库
2024年09月25日
隧穿磁阻技术(TMR),磁传感器的领军者 - 哔哩哔哩
2024年6月25日 TMR(Tunnel Magneto Resistance),全称隧穿磁阻技术,最早是用在硬盘中的磁性读写功能上,享誉盛名的MRAM磁性随机存取内存就是基于此。也正是因为其对磁场检测的精度、准确度相当高,并...哔哩哔哩
2024年09月25日
隧道磁电阻效应 - 与非网
2023年7月7日 隧道磁电阻效应是一种利用量子力学隧道效应的现象,它在磁性材料中观察到了巨大的磁电阻变化。这一效应被广泛应用于磁存储器、传感器和自旋电子学等领域。本文将...与非网
2024年09月25日
隧道磁阻技术(TMR)及其应用简介-电车资源
磁传感器以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数,磁传感器包括霍尔(Hall)元件,各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)元件或巨磁电阻(Giant Magnetoresistance,GMR)以及穿隧...m.evpartner.com/jh/detail-396....
2024年09月25日
隧穿磁阻效应 - 百度文库
2页 发布时间: 2023年03月08日这一效应是指在具有磁特性材料之间或者磁性电极与非磁性电极之间,电子隧穿过薄的介质隔层时,由于磁场的影响,隧穿电阻的大小会发生一定的变化。下面就隧穿磁阻效应详细解析一...百度文库
2024年09月25日
