雪崩倍增效应
“雪崩倍增效应”的相关信息：
综述:InGaAs单光子雪崩焦平面研究进展_芯片_结构_阵列
2023年4月1日 消除异质界面结空穴积累效应;(4)倍增层使得载流子在其中发生雪崩碰撞离化从而实现高增益,采用的InP(Eg~1.35 eV)材料,倍增层厚度一般在0.8~1.4 μm。搜狐
2024年04月01日
什么是雪崩倍增效应,名词解释定义是?_考试资料网
名词解释 雪崩倍增效应 参考答案:是在二极管的P-N结上加高反向电压形成的。此时在结区形成一个强电场,在高场区内光生载流子被强电场加速,获得高的动能,与晶... 点击查看答案...考试资料网
2024年04月01日
雪崩效应的概念和作用 - 百度文库
1页 发布时间: 2023年11月27日总的来说,雪崩效应是一种由小到大、扩散加剧的现象,在不同领域都有重要的作用。了解和识别雪崩效应有助于我们预测和应对潜在的风险,特别是在信息传播和金融市场中,能够对冲风...百度文库
2024年04月01日
综述:单光子探测器研究现状与发展_雪崩_技术_工作
2023年2月7日 雪崩光电二极管是具有内部光电增益的半导体光电子器件,利用载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号,如图2所示。近年来,随着光电探测技术以及新型结构的发展,出现了基于量子点的单光子探...搜狐
2024年04月01日
雪崩倍增效应。_百度教育
雪崩倍增效应。相关知识点: 试题来源: 解析 是在二极管的 P-N 结上加高反向电压形成的。此时在结区形成一个强电场, 在高场区内光生载流子被强电场加速,获得高的动能,与晶格的...百度教育
2024年04月02日
pn结的阻断特性和击穿 - 知乎
2023年10月20日 没有包括在式(3-50)和式(3-51)里的第二个效应是雪崩倍增, 它发生在高反向电压导致阻断电流增加, 到达某一电压时阻断能力被完全破坏。这个效应将在下一节中处理, 在本节中, 我们考...知乎
2024年04月01日
雪崩光电二极管的暗电流存在的原因及测试方法-电子发烧友网
2018年8月20日 雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP...电子发烧友
2024年04月01日
综述:单光子探测器研究现状与发展_雪崩_技术_工作
2023年2月10日 雪崩光电二极管是具有内部光电增益的半导体光电子器件,利用载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号,如图2所示。近年来,随着光电探测技术以及新型结构的发展,出现了基于量子点的单光子...搜狐
2024年04月02日
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项是什么? - 知乎
2023年8月14日 雪崩倍增效应：（通常指电压>6V时发生，）原理如下：图[2]：PN结反偏示意图 如图[2]所示：在PN结两端...知乎
2024年04月01日
