CMOS集成电路闩锁效应(温德通编著)全本在线阅读-起点中文...
CMOS集成电路闩锁效应是温德通编著创作的教材教辅类小说,起点中文网提供CMOS集成电路闩锁效应部分章节免费在线阅读,此外还提供CMOS集成电路闩锁效应全本在线阅读。起点中文网...起点中文网
2024年09月24日
CMOS集成电路闩锁效应
“CMOS集成电路闩锁效应”的相关信息：
CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施解析
2022年3月24日 成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘要:CMOSScaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS路结构所固有的寄生效应,这...人人文库
2024年09月24日
cmos电路中闩锁效应 - 电子发烧友网
2024年8月12日 : CMOS电路采用了华而不实(Behind the Silicon)结构,由一对互补型金氧半场效应晶体管(NMOS和PMOS)组成,能够实现高密度的集成电路。 功耗: CMOS电路的功耗非常低,因为在静止状态下只...电子发烧友
2024年09月24日
cmos电路中闩锁效应 - 百度文库
1页 发布时间: 2023年10月02日CMOS电路中闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极性晶体管(又称寄生可控硅,简称SCR)被触发导通,在电源与地之间形成低阻抗大电流通路,导致器件无法正常工作,甚至烧毁器件的现...百度文库
2024年09月24日
CMOS集成电路闩锁效应 - 知乎
2024年3月2日 我于2014年开始着手编写关于CMOS集成电路制造工艺、闩锁效应和ESD电路设计方面的图书,历时四年有余,在2018年完成了所有内容的谋篇布局、收集素材和编写工作,因为内容过于庞大,牵扯的...知乎
2024年09月24日
闩锁效应(Latch-up)原理解析-有驾
2024年6月5日 闩锁效应(Latch-up)原理解析 一、探讨闩锁效应:该效应本质上源于CMOS电路中,基极与集电极相连接的两个BJT管(即侧面式NPN与垂直式PNP)的回路放大机制。当这两个管子的电流放大系数均...百度有驾
2024年09月24日
可靠性设计之闩锁效应-CSDN博客
2023年3月23日 闩锁效应是cmos工艺所特有的寄生效应。闩锁效应是由nmos有源区、p衬底、n阱、pmos的有源区构成的n-p-n-p结构,寄生成的两个相关的三极管产生的,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。...CSDN博客
2024年09月24日
