LOD效应

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2023年11月22日 1、LOD效应 (Length of Diffusion effet) 当两个mos有相同的W和L时,由于有源区长度的不同造成一些电气参数的不同,所产生的效应称为LOD效应。 2、LOD效应产生...腾讯云计算

2024年04月02日

2022年8月15日 LOD效应主要影响器件的饱和电流(Idsat)和阈值电压(Vth)。上图所示为MOS受LOD效应影响的剖面图,STI沟槽中填充的隔离介质氧化物会对MOS有源区产生应力挤压。有源区受LOD效应应力随S...CSDN博客

2024年04月02日

集成电路中的 WPE 和 LOD 效应 WPE WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因...看云

2024年04月02日

1页发布时间: 2023年08月09日LOD效应是指在测量实验中,仪器或方法能够可靠检测到的最低浓度或信号强度。在某些测量中,LOD效应被用作评估测量方法的灵敏度的指标。较低的LOD效应意味着仪器或方法能够检测...百度文库

2024年04月02日

2023年10月31日 LOD(Length of Diffusion)Effect,也称为STI Stress Effect,顾名思义就是有源区外的STI隔离会对其带来应力作用,从而影响晶体管阈值电压,通常用Poly到有源区边界的距离(SA/SB,如Fig9...电子发烧友

2024年04月02日

2019年6月17日 LOD是 Length of Diffusion的缩写,当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS,因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图,两个MOS (A和B)其Gate Length G...CSDN博客

2024年04月02日

最佳答案: STI应力效应。lod应力作用od的意思是STI应力效应(又称扩散长度或LOD效应)，晶体管的性能(Vt，ld等)可由多晶硅栅到扩散(OD)的距离(通过迁移率)影响。百度知道

2024年04月02日

2023年11月3日 LOD效应：由于STI到多晶硅栅poly的距离也就是器件有源区长度的不同，应力对器件的影响也不同，因此叫做扩散区长度效应，如下图，有源区OD的长度越大，STI对器件的应力影响越小。因...半导体市场观察

2024年04月02日