【半导体先进工艺制程技术系列】漏致势垒降低效应-CSDN博客
2022年8月12日 DIBL效应的物理表象时源漏穿通现象,但源漏穿通现象并不是发生在器件的沟道表面,而是发生在远离栅极的沟道下面。 因为器件阱表面的掺杂浓度高于阱内部的掺杂浓度,并且靠近栅极的沟道...CSDN博客
2024年04月01日
dibl效应
“dibl效应”的相关信息：
8.1.8 漏致势垒降低效应(DIBL) - 豆丁网
2020年2月7日 dibl效应降低短沟道效应沟道区短沟道 1111八、小尺寸MOS器件的特性8.1.8漏致势垒降低效应(DIBL)ybsun@ee.ecnu.edu华东师范大学信息科学技术学院电子工程系当MOS...豆丁网
2024年04月01日
SiC MOSFET的短沟道效应
2023年3月30日 SiC MOSFET中的DIBL效应首先表现在饱和电流随VDS上升而上升，其次表现在栅极电荷曲线中的米勒平台段呈斜线。从图中计算得出SiC的QGD需要将VDS与栅极电荷曲线叠加在一起，通过限定边...新浪科技
2024年04月01日
漏感应势垒降低(DIBL)效应-技术资料-51电子网
2016年6月30日 通常称该过程为漏感应势垒降低,简写为DIBL(Drain-Induccd BaⅡicr Lowering)。显然,对于给定的‰s器件,￡越小,DIBL越显著,漏极电流的增加越显著,以致器件不能...51电子网
2024年04月01日
丁达尔效应是什么
赵英帅 主治医师 河南省人民医院 三甲 发布时间: 2023年02月24日“丁达尔效应”是指,当外部刺激引起皮肤受损或疼痛时,人体会产生一种痛觉缓解的生理反应。具体来说,疼痛信号会通过神经传递到脊髓和大脑,并激活体内的痛觉递质,导致疼痛感觉...百度健康
2024年04月01日
漏至势垒降低效应是啥 - 百度知道
最佳答案: 漏致势垒降低(DIBL)效应是超大规模MOSFET器件中重要的物理效应,体现在漏端电压VD引起阈值电压的降低，从而成为电路设计中一个重要的物理限制；并且在一定程度上影...百度知道
2024年04月01日
