kirk效应在VDMOS

首页

2017年1月20日 1)基本模型-夹断(pinch-off)：长沟道（无沟道长度调制效应）、低压器件（无Kirk effect/quasi-...知乎

2024年09月24日

其次,本论文根据高压ESD防护器件的设计窗口和Kirk效应对高压ESD保护器件的影响,研究了BCD工艺下的NLDMOS器件,并利用嵌入SCR的方法减小由Kirk效应导致的弱鲁棒性问题。提出了...cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-...

2024年09月24日

2017年1月20日 1)基本模型-夹断(pinch-off)：长沟道（无沟道长度调制效应）、低压器件（无Kirk effect/quasi-...知乎

2024年09月24日

1页发布时间: 2024年01月16日mos器件大电流kirk效应是指在大电流工作时,由于注入的电子浓度很大,在基区尾部、集电结势垒边缘处,电子(少子)浓度实际上并不为0,而是等于Jc/(qvs),其中Jc是集电极电流密度,vs...百度文库

2024年09月24日

4H-SiC功率MOSFET抗SEB辐射加固研究,单粒子烧毁效应,碳化硅,功率MOSFET,Kirk效应,瞬态电流,电力电子领域的变化日新月异,使得电力电子系统对其核心的功率器件提出了更严格的要...手机知网

2024年09月24日

2023年3月19日电话:0512-6762-2590 省略本地数字温度传感器 TMP102采用SOT563封装,包含引脚的高度仅为0.6mm。它在工作模式下的最大静态电流仅为10 μA,关断模式下的最大电...公务员之家

2024年09月24日

2012年4月27日正偏二次击穿主要是热电AP503TR-G1反馈效应,局部电流集中,产生热斑;反偏二次击穿主要是电流模式或雪崩注入模式。在具有感性负载开关电路中:“1”状态,即基区...51电子网

2024年09月24日

2020年8月23日 LDMOS的可靠性研究教程.ppt,( 1 ) Kirk 效应 ? 当电流密度超过漂移区杂质浓度后 , 电场峰值转移到近漏端 , 等位线在漏极方向非常密集, 漏端电场强度大幅增加...原创力文档

2024年09月24日

2021年5月1日因为晶体管在高电压和大电流条件下工作时,将会产生势垒展宽、放大系数下降和 Kirk 效应( 2、基区展宽效应 ) 等许多现象,并导致晶体管的最高工作频率下降,所以晶体管的最大输出功...人人文库

2024年09月24日