电子束曝光邻近效应

“电子束曝光邻近效应”的相关信息:

【PDF】电子束光刻的邻近效应及其模拟!

【PDF】文件格式:2 分析了入射电 子束的形状,入射电子的能量,衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果 与实验结果符合得很好 2 分析表明高斯分布的电子束比...物理学报

华慧高芯知识库_电子束光刻的影响因素——前散射

2019年9月20日 电子束光刻有着较高的灵活性和分辨率,但在实际应用中,设计的图形与最终曝光得到的图形都会存在一定的偏差。 造成这一现象的原因有很多,除了工艺上的影响之外,一个重要的因素是电子...华慧高芯网

电子束曝光技术(EBL)简介

2024年7月26日 在电子束光刻(EBL)技术中,束流遮断(Beam Blanking)策略是实现高精度图案化的重要组成部分。束流遮断是指在电子束扫描过程中,通过快速切换电子束的开启与关闭状...微信公众平台

电子束曝光中的邻近效应修正技术 - 豆丁网

2010年4月23日 系统标签: 电子束 曝光 邻近 效应 修正 抗蚀剂 MicrofabricationTechnology2000文章编号:1003Ο8213(2000)01Ο0003Ο05电子束曝光中的邻近效应修正技术(中国科...豆丁

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