【科普】芯片制造工艺: 光刻(中) --新曝光方式之电子束、X... 2024年6月3日 电子邻近效应:如同光学曝光中光波在光刻胶中的吸收一样,电子束曝光也是通过抗蚀剂聚合物分子对电子能量的吸收实现的。经过曝光机电子光柱加速的电子入射进入抗蚀剂材料后会与抗蚀剂...芯片规格书 2024年09月25日
【PDF】电子束光刻的邻近效应及其模拟! 【PDF】文件格式:2 分析了入射电 子束的形状,入射电子的能量,衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果 与实验结果符合得很好 2 分析表明高斯分布的电子束比...物理学报 2024年09月25日
EBL专题:电子束光刻的参数优化及常见问题_电镜_图案_距离 2024年3月14日 邻近效应通常包括以下两种:正向邻近效应:在正常情况下,靠近暗区(未曝光区)的亮区(已曝光区)图案的边缘会受到暗区的影响而变窄或形变。这是由于暗区的边缘会发生电子束的漫反射,导致...搜狐网 2024年09月25日
华慧高芯知识库_电子束光刻的影响因素——前散射 2019年9月20日 电子束光刻有着较高的灵活性和分辨率,但在实际应用中,设计的图形与最终曝光得到的图形都会存在一定的偏差。 造成这一现象的原因有很多,除了工艺上的影响之外,一个重要的因素是电子...华慧高芯网 2024年09月25日
微纳加工丨电子束光刻(EBL)技术介绍 - AccSci英生科技 2022年12月15日 加速电压:一般是10~100kv加速电压越高,分辨率越高,曝光产生的邻近效应越小,可曝光更厚的抗蚀剂。 电子束流:束流越大曝光速度越快,最大曝光速度受扫描频率限制...AccSci英生科技 2024年09月25日
电子束曝光技术(EBL)简介 2024年7月26日 在电子束光刻(EBL)技术中,束流遮断(Beam Blanking)策略是实现高精度图案化的重要组成部分。束流遮断是指在电子束扫描过程中,通过快速切换电子束的开启与关闭状...微信公众平台 2024年09月25日
电子束曝光中的邻近效应修正技术-微细加工技术2000年01期-... 电子束曝光中的邻近效应修正技术,电子束曝光,邻近效应,邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正...手机知网 2024年09月25日
电子束曝光中的邻近效应修正技术 - 豆丁网 2010年4月23日 系统标签: 电子束 曝光 邻近 效应 修正 抗蚀剂 MicrofabricationTechnology2000文章编号:1003Ο8213(2000)01Ο0003Ο05电子束曝光中的邻近效应修正技术(中国科...豆丁 2024年09月25日