MOS管漏极耗尽区发生穿通效应后由漏区到源区的空间电荷限...
2021年12月2日 如果MOS场效应晶体管的漏源间距足够小,用以制作器件的衬底的电阻率足够高,与反偏压漏-衬结有关的耗尽区会随漏压增加而扩展,以致最后将同源-衬结的耗尽区联通。这个条件通常称为穿通...kiamos.cn/article/detail/24......
2024年04月01日
源漏穿通效应
“源漏穿通效应”的相关信息：
MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟.pdf
2015年9月11日 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟,离子源,apci离子源,离子源工作原理,质谱离子源,金属离子源,...原创力文档
2024年04月01日
纳米CMOS器件超浅结
2021年1月8日 1、纳米CMOS器件超浅结工程1,张露 1211022608,发展超浅结离子掺杂技术的动力及主要问题,短沟道效应和源漏结深 源-漏穿通 串联电阻 热电子效应 结深、掺杂分布、...人人文库
2024年04月01日
解决MOS管小电流发热,就看这一招!_Drain
2021年2月2日 穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐步增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,产生电流较大。另一方面,耗尽层展宽大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。 穿通...搜狐网
2024年04月01日
EDA技术探索之源漏穿通解析 - EDA/IC设计 - 电子发烧友网
2023年2月3日 以NMOS为例在源漏穿通发生之后,对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后,有一定可能被电场直接扫进漏极,进而被漏极收集,从而实现电流从源极到漏极的导通。这...电子发烧友
2024年04月01日
【半导体先进工艺制程技术系列】漏致势垒降低效应-CSDN博客
2022年8月12日 发生穿通效应的原因是漏极电压的升高导致源极与衬底之间的自建势垒高度降低了,称为漏致势垒降低效应(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)。 对于长沟道器件,上图中虚线部分,当漏...CSDN博客
2024年04月01日
半导体集成电路系列(二):MOSFET - 知乎
2020年6月21日 解决MOSFET源漏间的沟道穿通问题之前,先来看看源漏的穿通效应是如何发生的。 图2.6(左)显示了MOSFET处于“截止”状态时的横截面。当Vg = 0V时,在源栅之间存在一个电子势垒,当向漏极...知乎
2024年04月01日
MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟 - 豆丁网
2011年8月8日 http://.paper.eduMOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟夏春梅,贺朝会西安交通大学核能科学与技术学院,西安(710049)E-mail:xcm@stu.xjtu.eduDESSIS器件模拟...豆丁网
2024年04月01日
